|
|||||
|
|
| 基于表面等离子体激元的硅基激光器 | |
| 引用本文： | 汪毅,周治平.基于表面等离子体激元的硅基激光器[J].激光与光电子学进展,2008,45(2):26-26. |
| 作者姓名： | 汪毅 周治平 |
| 作者单位： | 1. 华中科技大学,武汉光电国家实验室(筹),湖北,武汉,430074 2. 华中科技大学,武汉光电国家实验室(筹),湖北,武汉,430074;乔治亚理工学院电,子与计算机工程学院,亚特兰大,30332,美国 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划) |
| 摘 要： | 研究了一种超薄硅单层与掺铒硅单层/金属薄膜/硅衬底(Si:SiEr/Metal/Si,SEMS)型硅基激光器结构.利用表面等离子体激元局域增强效应提升了硅基增益介质材料在1.54μm波长点的光学增益特性.通过优化金属材料厚度、铒离子极化方向和铒离子位置等参量,减小表面等离子体激元所带来的光学损耗.结果表明,当金属材料厚度小于20 nm时,硅基激光器的净增益系数范围为1～36 cm-1. |
| 关 键 词： | 表面等离子体激元 增益系数 硅基激光器 |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |