基于表面等离子体激元的硅基激光器 |
| |
作者姓名: | 汪毅 周治平 |
| |
作者单位: | 1. 华中科技大学,武汉光电国家实验室(筹),湖北,武汉,430074 2. 华中科技大学,武汉光电国家实验室(筹),湖北,武汉,430074;乔治亚理工学院电,子与计算机工程学院,亚特兰大,30332,美国 |
| |
基金项目: | 国家重点基础研究发展规划(973计划) |
| |
摘 要: | 研究了一种超薄硅单层与掺铒硅单层/金属薄膜/硅衬底(Si:SiEr/Metal/Si,SEMS)型硅基激光器结构.利用表面等离子体激元局域增强效应提升了硅基增益介质材料在1.54μm波长点的光学增益特性.通过优化金属材料厚度、铒离子极化方向和铒离子位置等参量,减小表面等离子体激元所带来的光学损耗.结果表明,当金属材料厚度小于20 nm时,硅基激光器的净增益系数范围为1~36 cm-1.
|
关 键 词: | 表面等离子体激元 增益系数 硅基激光器 |
本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录! |
|