采用数字CMOS工艺实现的1.2-V, 84-dB Σ? ADM设计 |
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作者姓名: | 殷树娟 李翔宇 |
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摘 要: | 由于采用一种全补偿耗尽电容,本文实现了一种基于数字工艺实现的低压低功耗∑?模数调制器。与混合信号工艺相比,该电路所以更适合于纯数字应用。采用新型伪两级Class-AB型运算放大器实现低压低功耗设计目标。在SMIC 0.18μm 1P6M 数字CMOS工艺下,芯片测试结果表明:1.2V电源电压6MHz采样频率时,调制器的动态范围为84dB,总电路功耗为2460μW。
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关 键 词: | 数字CMOS工艺 低功耗 低压 Σ? 模数调制器 |
收稿时间: | 2012-12-25 |
修稿时间: | 2013-02-01 |
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