| 一款25~45 GHz宽带MMIC低噪声放大器 |
| |
| 引用本文： | 王雨桐,吴洪江,刘永强.一款25~45 GHz宽带MMIC低噪声放大器[J].太赫兹科学与电子信息学报,2017,15(3):446-449. |
| |
| 作者姓名： | 王雨桐 吴洪江 刘永强 |
| |
| 作者单位： | The 13th Research Institute，China Electronic Technology Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China,The 13th Research Institute，China Electronic Technology Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China and The 13th Research Institute，China Electronic Technology Corporation，Shijiazhuang Hebei 050051，China |
| |
| 摘 要： | 基于砷化镓(GaAs)赝晶型高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺，研制了一款25~45 GHz宽带单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器。该放大器采用三级级联的双电源结构，前两级在确保良好的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声；末级采用最大增益的匹配方式，保证了良好的增益平坦度、输出端口回波损耗以及输出功率。此外还对源电感和宽带匹配都进行了优化，实现了低噪声下的宽带输出。在片测试表明，在栅、漏偏置电压分别为-0.38 V和3 V，电流为60 mA的工作条件下，该放大器在25~45 GHz频带内噪声系数小于2 dB，增益为(22±1.5) dB，输入、输出电压驻波比典型值为2:1，1 dB增益压缩输出功率(P－1 dB)典型值为10 dBm。该低噪声放大器可以用于宽带毫米波收发系统。
|
| 关 键 词： | 砷化镓 赝晶型高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 宽带 低噪声放大器 |
| 收稿时间： | 2017/1/14 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/2/28 0:00:00 |
A 25-45 GHz wideband MMIC Low Noise Amplifier |
| |
| WANG Yutong,WU Hongjiang and LIU Yongqiang.A 25-45 GHz wideband MMIC Low Noise Amplifier[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2017,15(3):446-449. |
| |
| Authors: | WANG Yutong WU Hongjiang and LIU Yongqiang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《太赫兹科学与电子信息学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《太赫兹科学与电子信息学报》下载全文 |
