| 纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型 |
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| 引用本文： | 王瑾,刘红侠,栾苏珍. 纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型[J]. 微电子学, 2007, 37(6): 838-841 |
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| 作者姓名： | 王瑾 刘红侠 栾苏珍 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学 微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家教育部新世纪优秀人才项目;国防科技预研项目;教育部科学技术研究重点项目 |
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| 摘 要： | 针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修正模型。
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| 关 键 词： | SOI MOSFET量子效应 阈值电压 反型层 |
| 文章编号： | 1004-3365（2007）06-0838-04 |
| 收稿时间： | 2007-06-08 |
| 修稿时间： | 2007-08-20 |
A Modified Threshold-Voltage Model for Nanometer Fully Depleted SOI MOSFETs |
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| WANG Jin,LIU Hong-xia,LUAN Su-zhen. A Modified Threshold-Voltage Model for Nanometer Fully Depleted SOI MOSFETs[J]. Microelectronics, 2007, 37(6): 838-841 |
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| Authors: | WANG Jin LIU Hong-xia LUAN Su-zhen |
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| Abstract: | With quantization effects of inversion layer electrons in the channel of thin layer fully depleted SOI MOSFETs taken into account,quantization effects on threshold-voltage was analyzed.Results indicated that quantization effects of inversion layer cause threshold-voltage to increase.Finally,a modified threshold-voltage model for nanometer fully depleted SOI MOSFETs was concluded. |
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| Keywords: | SOI MOSFET Quantization effects Threshold-voltage Inversion layer |
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