首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

Ⅲ族氮化物量子点研究进展
作者姓名:张会肖
摘    要:综述了Ⅲ族氮化物量子点材料及其器件应用研究现状。主要涉及了GaN,InN和InGaN量子点材料的形貌结构特征、实现工艺方法、外延生长机理、光学特性和器件应用等内容。同时对该领域的未来研究趋势也进行了讨论。

关 键 词:量子点 氮化镓 氮化铟 Ⅲ族化合物 半导体材料
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号