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杂志ISSN号
Ⅲ族氮化物量子点研究进展
作者姓名:
张会肖
摘 要:
综述了Ⅲ族氮化物量子点材料及其器件应用研究现状。主要涉及了GaN,InN和InGaN量子点材料的形貌结构特征、实现工艺方法、外延生长机理、光学特性和器件应用等内容。同时对该领域的未来研究趋势也进行了讨论。
关 键 词:
量子点 氮化镓 氮化铟 Ⅲ族化合物 半导体材料
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