| 高灵敏度宽频带电容次声传感器 |
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| 引用本文： | 谢金来,陶中达,谢照华. 高灵敏度宽频带电容次声传感器[J]. 核电子学与探测技术, 2003, 23(5): 428-432 |
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| 作者姓名： | 谢金来 陶中达 谢照华 |
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| 作者单位： | 中国科学院声学研究所,北京,100080 |
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| 摘 要： | 电容式次声传感器具备许多特点:灵敏度高,能接收0.1～1000μPa的声压;频带宽,覆盖整个次声频范围,从10到0.001Hz以下;输出电压大:为400mV/Pa,可直接A/D转换;动态范围宽,最高声压级大于108dB,可完整接收强弱差别大的次声信号;频响好,在所要求的频段内平直;优异的长期稳定性,采用双层保温措施,后腔真空保温和外加树脂保护,零漂小,可长期持续有效地工作。一致性好,头电容CO、膜片张力的第一共振频率fo1和电路均为可调,达到性能一致,适用于次声阵列;外形尺寸φ80mm×220mm,1.6kg,便于携带和安装;膜片质量小,4μm厚,振动灵敏度→0,对振动不敏感;配套完整,可以直接与电脑构成次声测量系统,加上三点阵便可得到次声波到达时间、最大波振幅及其周期、波速、波向以及实时三维动态谱等。
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| 关 键 词： | 电容次声传感器 灵敏度 A／D转换 稳定性 频响 实时三维动态谱 |
| 文章编号： | 0258-0934(2003)05-0428-05 |
| 修稿时间： | 2002-12-05 |
A high sensitivity wide-band infrasound condenser microphone |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | condenser infrasonic microphone structure operational principles performance |
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