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| 掺硼（B）非晶硅（a—Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究 | |
| 引用本文： | 于振瑞,耿新华.掺硼（B）非晶硅（a—Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究[J].太阳能学报,1994,15(2):132-136. |
| 作者姓名： | 于振瑞 耿新华 |
| 摘 要： | 对掺硼（Ｂ）材料的固相晶化进行了研究。通过对不同掺Ｂ浓度的ａ－Ｓｉ：Ｈ样品退火前后的Ｘ射线衍射，光吸收系数、电导率、激活能及Ｈａｌｌ迁移率的测量发现，Ｂ原子在固相晶化过程中起晶核作用，晶化后的样品具有较高的迁移率及电导率，同时具有较大的禁带宽度。当掺Ｂ浓度仅为０．１７％时，晶化后样品的电导率４．３５ｓｃｍ＾－１，迁移率为１４０ｃｍ＾２Ｖ＾－１Ｓ＾－１，禁带宽度Ｅ０４＝２．１６ｅＶ。该材料是一种较好 |
| 关 键 词： | 固相晶化 晶核 太阳能电池 多晶硅 |
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