| EBV法制备Znln2S4薄膜的性质研究 |
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| 引用本文： | 张瑞峰 李兴林. EBV法制备Znln2S4薄膜的性质研究[J]. 太阳能学报, 1994, 15(2): 142-146 |
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| 作者姓名： | 张瑞峰 李兴林 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
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| 摘 要： | 用电子束加热真空蒸发法（ＥＢＶ法）制备了厚度为３５０ｎｍ的ＺｎＩｎ２Ｓ４薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果；通过不同气氛处理可以控制材料的导电类型，典型膜的电阻率为２．５×１０＾－１Ω．ｃｍ，Ｈａｌｌ迁移率为５２ｃｍ＾２．Ｖ＾－１．ｓ＾－１，载流子浓度为１．４２×１０＾１７ｃｍ＾－３，禁带宽度为２．１３ｅＶ。探讨了ＺｎＩｎ２Ｓ４膜的导电机理，并制作了ＺｎＩｎ２Ｓ４－Ｓｉ太阳电池。
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| 关 键 词： | 电子束蒸发法 薄膜 太阳能电池 |
FABRICATION AND PROPERTY OF Znln_2S_4 THIN FILMS BY EBV METHOD |
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| Zhang Rui-feng,Li Xing-lin,Yu Ya-li,Wang Ji-xiang. FABRICATION AND PROPERTY OF Znln_2S_4 THIN FILMS BY EBV METHOD[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 1994, 15(2): 142-146 |
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| Authors: | Zhang Rui-feng Li Xing-lin Yu Ya-li Wang Ji-xiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electron beam ZnIn2S4 thin films photoelectron spectroscopy ZnIn2S4/Si solar cells |
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