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SVC接入位置对次同步振荡的影响机理与SVC控制策略研究
引用本文:赵欣,高山,张宁宇. SVC接入位置对次同步振荡的影响机理与SVC控制策略研究[J]. 中国电机工程学报, 2013, 0(25): 107-114,17
作者姓名:赵欣  高山  张宁宇
作者单位:东南大学电气工程学院,江苏省 南京市,210096
摘    要:当前研究静止无功补偿器(static var compensator,SVC)抑制次同步振荡,大多将其接入机端或升压变高压侧,并仅考虑阻尼控制作用,对其它接入位置和电压调节的探讨不多,控制器的设计也不够简便。文中基于系统的dq轴数学模型,简化复转矩系数的计算,得到较精确的含SVC串补系统的电磁转矩表达式。利用该式分析SVC附加阻尼的机理以及与接入位置的关系,指出接入线路中点能使SVC在谐振频附近提供更多正阻尼。同时分析SVC电压控制对次同步振荡的影响,指出电压控制的传递函数很可能会增大各扭振频下的附加阻尼相位差。对此提出一种基于相位补偿法的PID控制设计,参数整定简单快速,既可以维持系统电压水平和提高线路传输能力,也可有效抑制系统次同步振荡。特征值计算和时域仿真都证明了分析结果的正确性。

关 键 词:静止无功补偿器  次同步振荡  接入位置  阻尼  控制

Influence of SVC Location on Subsynchronous Oscillation and SVC Control Strategy Research
ZHAO Xin , GAO Shan , ZHANG Ningyu. Influence of SVC Location on Subsynchronous Oscillation and SVC Control Strategy Research[J]. Proceedings of the CSEE, 2013, 0(25): 107-114,17
Authors:ZHAO Xin    GAO Shan    ZHANG Ningyu
Affiliation:(School of Electrical Engineering,Southeast University,Nanjing 210096,Jiangsu Province,China)
Abstract:
Keywords:static var compensator (SVC)  subsynchronous oscillation  location  damping  control
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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