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| SITH栅-阴击穿特性分析 | |
| 引用本文： | 黄淑芳. SITH栅-阴击穿特性分析[J]. 武汉理工大学学报(信息与管理工程版), 2002, 24(3): 91-92 |
| 作者姓名： | 黄淑芳 |
| 作者单位： | 武汉化工学院物理系,湖北,武汉,430073 |
| 摘 要： | 分析了SITH沟道与外延层反向耐压承受能力，并通过对不同芯片的栅-阴击穿电压特性的测试结果的分析研究，论述了台面腐蚀是直接影响VGK及器件I-V特性的主要因素。 |
| 关 键 词： | 栅－阴击穿特性 芯片 耗尽层 外延层 台面腐蚀 |
| 文章编号： | 1007-144X(2002)03-0091-02 |
| 修稿时间： | 2002-01-08 |
Aalysis of Gate Cathode Breakdown Characteristic |
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