| InGaN太阳电池光电转换特性的理论计算 |
| |
| 引用本文： | 张玉宁,剡文杰. InGaN太阳电池光电转换特性的理论计算[J]. 电源技术, 2016, 0(3): 604-606. DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2016.03.036 |
| |
| 作者姓名： | 张玉宁 剡文杰 |
| |
| 作者单位： | 宁夏大学物理电气信息学院,宁夏银川,750021 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61066002) |
| |
| 摘 要： | 从p-n结太阳电池的理论模型和InxGa1-xN带隙的经验公式出发,结合实际材料参数,通过改变In组分来调节InxGa1-xN带隙。计算了标准太阳光谱AM1.5光子通量及该光谱下InxGa1-xN单结和InxGa1-xN/Ga P异质双结太阳电池的光电转换效率。结果显示,InxGa1-xN单结太阳电池的最大转换效率是27.28%,与之对应的In组分为0.82。InxGa1-xN/Ga P异质双结太阳电池的最高转换效率为30.75%,对应的In组分是0.74。这些结果可作为设计制备In Ga N太阳电池的理论依据。
|
| 关 键 词： | 光电子材料 InGaN太阳电池 光电特性 转换效率 理论计算 |
Theoretical calculation of photoelectric conversion efficiency of InGaN solar cell |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | optoelectronic materials InGaN solar cells photoelectric properties conversion efficiency theoretical calculation |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
