| 低压大通流氧化锌压敏陶瓷材料 |
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| 引用本文： | 韩述斌,范坤泰.低压大通流氧化锌压敏陶瓷材料[J].电子元件与材料,1997,16(3):27-30. |
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| 作者姓名： | 韩述斌 范坤泰 |
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| 作者单位： | 山东工业大学 |
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| 摘 要： | 提出了一种研制低压大通流压敏陶瓷材料的方法。根据已有的微观结构和导电机理的理论，着重研究了添加剂ＴｉＯ２对器件性能的影响，对得到的结果进行了分析和讨论。认为在六元配方基础上，加入适量的ＴｉＯ２和Ｈ３ＢＯ３并对器件进行热处理，可得到质量较好的产品
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| 关 键 词： | 氧化锌压敏电阻器 二氧化钛添加剂 击穿电压 通流容量 |
High Current & Low Breakdown Voltage ZnO Varistors |
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| Han Shubin,Fan Kuntai,Wu Dexi,Zhang Xin.High Current & Low Breakdown Voltage ZnO Varistors[J].Electronic Components & Materials,1997,16(3):27-30. |
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| Authors: | Han Shubin Fan Kuntai Wu Dexi Zhang Xin |
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| Abstract: | A method for developing high current & low breakdown voltage ZnO Varistors is presen ted. The effect of TiO 2 doping on the properties of ZnO varistor is studied on the basis of the theory of microstructure and conductive mechanism. It is concluded that better properties can be acquired by doping TiO 2 and H 3BO 3 and thermal treating based on the original composition. |
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| Keywords: | ZnO Varistors TiO 2 additive breakdown voltage current capacity |
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