| 多层a-Si∶H/a-SiNx∶H薄膜中氢含量的研究 |
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| 引用本文： | 张同军. 多层a-Si∶H/a-SiNx∶H薄膜中氢含量的研究[J]. 电子与信息学报, 1989, 11(6): 656-660 |
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| 作者姓名： | 张同军 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系 兰州 |
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| 摘 要： | 将PECVD方法制备的多层a-Si∶H/a-SiN_x∶H膜在N_2气氛中进行不同温度的退火处理后,利用红外吸收谱、核反应方法,次级离子质谱(SIMS)和透射电镜(TEM)对膜中氢从表面渗出及其与温度的依赖关系进行了测试和分析。最后对氢的外扩散现象提出了几种可能的简单解释。
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| 关 键 词： | 非晶硅 多层膜 退火处理 氢的外扩散 |
| 收稿时间： | 1987-09-29 |
| 修稿时间： | 1989-04-10 |
A STUDY OF THE HYDROGEN CONTENT IN a-Si:H/a-SiNx:H MULTILAYER FILMS |
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| Zhang Tongjun. A STUDY OF THE HYDROGEN CONTENT IN a-Si:H/a-SiNx:H MULTILAYER FILMS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(6): 656-660 |
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| Authors: | Zhang Tongjun |
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| Affiliation: | Deportment of Physics; Lanzhou University, Lanzhou |
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| Abstract: | The hydrogen effusion and its temperature dependence in semiconducting amorphous a-si:H/a-SiN,:H multilayer films prepared by PECVD has been studied using IR absorption, nuclear reaction method, SIMS and TEM. Some possible interpretations are presented for out-diffusion of hydrogen in the films. |
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| Keywords: | Amorphous silicon Multilayer films Annealig treatment Out-diffusion of hydrogen |
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