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CdTe量子点简单合成及Hg离子的测定
引用本文:刘其鹏,纪祥娟,尹慧君,王苗苗,刘涛,孙秋香.CdTe量子点简单合成及Hg离子的测定[J].山东化工,2018(15).
作者姓名:刘其鹏  纪祥娟  尹慧君  王苗苗  刘涛  孙秋香
作者单位:鲁南煤化工研究院;济宁半导体及显示产品质量监督检验中心
摘    要:采用高压锅水相合成了巯基丙酸修饰的Cd Te量子点,并采用紫外可将光吸收光谱、荧光光谱和X-射线粉末衍射对量子点的光学性质和结构进行表征,结果表明发射峰位于514 nm,半高宽为54nm,量子荧光产率达到了27。巯基丙酸修饰的Cd Te量子点对Hg2+有很好的选择性,且随着Hg2+浓度的增加量子点发光强度逐渐降低呈良好的线性关系,检测限达2×10-9mol/L,因此Cd Te量子点可用于测定微量的Hg2+离子。

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