| 一种串联RFMEMS开关的隔离度补偿措施 |
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| 引用本文： | 顾洪明,吕苗,高葆新.一种串联RFMEMS开关的隔离度补偿措施[J].微纳电子技术,2004,41(5):24-27. |
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| 作者姓名： | 顾洪明 吕苗 高葆新 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学电子工程系,北京,100084
2. 河北半导体研究所,河北,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 提出了采用陷波电路结构来补偿串联RFMEMS开关断开时的耦合电容,提高其隔离度的一种方法。理论分析显示,采用这种方法,在2～5GHz的频率范围内,可以使开关的隔离度最多提高15郾6dB,而插入损耗只受到0郾07dB的影响。
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| 关 键 词： | RF MEMS开关 陷波电路 隔离度 |
| 文章编号： | 1671-4776(2004)05-0024-04 |
| 修稿时间： | 2003年12月17 |
A new method for improving isolation of series RF MEMS switch |
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| GU Hongming,L Miao,GAO Baoxin.A new method for improving isolation of series RF MEMS switch[J].Micronanoelectronic Technology,2004,41(5):24-27. |
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| Authors: | GU Hongming L Miao GAO Baoxin |
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| Affiliation: | GU Hongming1,L Miao2,GAO Baoxin1 |
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| Abstract: | A trap rejection method for improving the isolation of series metal contacted RF MEMS switch is presented. Theoretical analyze shows that the isolation can be improved 15?郾6 dB,with the influence of insertion loss only 0?郾07 dB from 2 GHz to 5 GHz when this method is used. |
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| Keywords: | RF MEMS switch trap circuit isolation |
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