| 热处理时间对氧化钒薄膜相变性能的影响 |
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| 引用本文： | 张鹏,路远,乔亚.热处理时间对氧化钒薄膜相变性能的影响[J].半导体光电,2013,34(5):804-806,810. |
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| 作者姓名： | 张鹏 路远 乔亚 |
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| 作者单位： | 电子工程学院 脉冲功率激光技术国家重点实验室，安徽省红外与低温等离子体重点实验室，合肥230037;电子工程学院 脉冲功率激光技术国家重点实验室，安徽省红外与低温等离子体重点实验室，合肥230037;电子工程学院 脉冲功率激光技术国家重点实验室，安徽省红外与低温等离子体重点实验室，合肥230037 |
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| 基金项目： | 安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金项目(2010A001004D). |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射的方法在普通玻璃上制备了低价的氧化钒薄膜,在氧气和氩气混合气氛中,对所制备的薄膜进行不同时间的热处理,得到具有相变特性的VO2薄膜。分别利用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(SEM)分析了薄膜的组分、结晶结构和表面形貌,利用四探针法测试了薄膜的电阻。结果表明:热处理前的氧化钒薄膜主要成分为V2O3,经过热氧化处理后,低价的氧化钒被氧化,薄膜中VO2含量增加,薄膜发生金属-半导体相变,其中450℃、2h为最佳处理参数,其电阻相变幅度超过2个数量级,薄膜的相变温度仅为30℃。
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 氧化钒薄膜 热氧化 低相变温度 |
| 收稿时间： | 2013/3/14 0:00:00 |
Effect of Heat Treatment Time on Properties of Vanadium Oxide Films |
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| ZHANG Peng;LU Yuan;QIAO Ya.Effect of Heat Treatment Time on Properties of Vanadium Oxide Films[J].Semiconductor Optoelectronics,2013,34(5):804-806,810. |
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| Authors: | ZHANG Peng;LU Yuan;QIAO Ya |
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| Affiliation: | ZHANG Peng;LU Yuan;QIAO Ya;State Key Lab.of Pulsed Power Laser Technology,Key Lab.of Infrared and Low Temperature Plasma of Anhui Province,Electronic Engineering Institute; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DC magnetron sputtering vanadium oxide thin film thermal oxidation low phase transition temperature |
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