| M—IDG结构小型超宽带衰减器的FDTD仿真和实现 |
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| 引用本文： | 张琰,高本庆,李镇,杨春涛.M—IDG结构小型超宽带衰减器的FDTD仿真和实现[J].微波学报,2000,16(3):231-236. |
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| 作者姓名： | 张琰 高本庆 李镇 杨春涛 |
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| 作者单位： | 1. 北京理工大学电子工程系，北京 100081
2. 中国航天总公司二院203研究所，北京 100854 |
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| 摘 要： | 本文在分析新型传输线-微带加载插入介质波导(M-IDG)基本特性的基础上，用FDTD法仿真设计了小型、超宽带衰减器。电路尺寸分5．1×25mm２和5．1×40mm2两种。对于10dB衰减器，工作频带0．5～18GHz内衰减起伏小于1.0dB；30dB衰减器，在2．0～18GHz带宽内，衰减起伏小于2．5dB。实测结果与FDTD仿真结果基本吻合。
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| 关 键 词： | 介质波导 M－IDG 超宽带衰减器 FDTD仿真 |
| 修稿时间： | 1999年5月31日 |
FDTD Simulation and Implementation of Ultra Wide Band Miniaturized M-IDG Attenuator |
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| ZHANG Yan,Gao BenQing,Ll Zhen,YANG Chuntao.FDTD Simulation and Implementation of Ultra Wide Band Miniaturized M-IDG Attenuator[J].Journal of Microwaves,2000,16(3):231-236. |
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| Authors: | ZHANG Yan Gao BenQing Ll Zhen YANG Chuntao |
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| Abstract: | The basic properties of the microstrip-loaded inset dielectric guide (M-IDG) are analyzed by FDTD method, then this kind of ultra wide band attenuators are implemented by FDTD simulation. There are two kinds of the circuit sizes--5. 1×25mm2 and 5. 1×40mm2. For 10dB attenuator,the fluctuation of attenuation is less than 1.0dB within 0. 5～18GHz bandwidth. For 30dB attenuator,the fluctuation is less than 2. 5dB within 2.0～18GHz bandwidth. The measurement data are in agreements with the results of FDTD simulation. |
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| Keywords: | Microstrip-loaded inset dielectric guide (M- IDG) Ultra wide band attenuator FDTD simulation |
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