| PBII氮离子注入对氮化硼薄膜结构的影响 |
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| 引用本文： | 田晶泽,夏立芳,刘立民,李刘和,马欣新,孙跃. PBII氮离子注入对氮化硼薄膜结构的影响[J]. 材料科学与工艺, 1999, 0(3) |
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| 作者姓名： | 田晶泽 夏立芳 刘立民 李刘和 马欣新 孙跃 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院!黑龙江哈尔滨150001(田晶泽，夏立芳，李刘和，马欣新)，哈尔滨锅炉厂!黑龙江哈尔滨150046(刘立民)，哈尔滨工业大学 (孙跃) |
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| 摘 要： | 研究了氮离子注入对立方氮化硼（ｃ－ ＢＮ） 膜，富硼的硼氮膜（ＢＮ０ ．５ ） 和硼膜（Ｂ） 的成分及结构的影响． 用活性反应离子镀技术在单晶硅基体上沉积ｃＢＮ、ＢＮ０ ．５ 和Ｂ 膜；然后使用等离子基离子注入（ＰＢＩＩ） 技术，在５０ ｋＶ 的基体脉冲负偏压下注入氮． 用ＦＴＩＲ 透射谱分析膜在氮离子注入前后结构的变化，用ＸＰＳ分析膜的成分分布． 结果表明：在ｃ－ ＢＮ 膜中注入氮离子几乎不改变膜的ＮＢ，但膜中ｃ－ ＢＮ 的含量略有增加；对于ＢＮ０ ．５ 膜，注入氮后，ＮＢ 略有提高，膜的ａ－ ＢＮ 的结晶化提高；而在硼膜中注入氮后，氮在膜中呈类似高斯分布，最高氮浓度ｒ（Ｎ）达２３ ％ ，膜中形成了非晶态的氮化硼（ａ－ ＢＮ） 结构． 此外，在以上各种膜上注入氮后，膜基界面都有不同程度的成分混合．
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| 关 键 词： | 活性反应离子镀 单晶硅 离子注入 氮化硼 |
Effect of PBII N~+ on microstructure of boron nitride deposited by ARE |
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| TIAN Jing ze ,XIA Li fang ,LIU Li min ,LI Liu he ,MA Xin xin ,SUN Yue. Effect of PBII N~+ on microstructure of boron nitride deposited by ARE[J]. Materials Science and Technology, 1999, 0(3) |
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| Authors: | TIAN Jing ze XIA Li fang LIU Li min LI Liu he MA Xin xin SUN Yue |
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| Affiliation: | TIAN Jing ze 1,XIA Li fang 1,LIU Li min 2,LI Liu he 1,MA Xin xin 1,SUN Yue 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | active reaction evaporation single crystal silicon ion implantation nitriding boron |
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