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UHF频段无源RFID标签前端倍压电路设计
引用本文:孙玲,景为平. UHF频段无源RFID标签前端倍压电路设计[J]. 微计算机信息, 2009, 25(14)
作者姓名:孙玲  景为平
作者单位:南通大学,江苏省专用集成电路设计重点实验室,江苏南通,226019  
基金项目:江苏省教育厅江苏省高校重点实验室开放课题 
摘    要:基于0.5μm双阱标准CMOS工艺,完成了一种适用于UHF频段无源RFID标签的倍压电路设计.该电路利用置于P阱中的NMOS管连接成二极管形式取代传统倍压电路中的肖特基二极管,避免了工艺上的特殊要求,与同工艺上PMOS管连接的二极管相比,有更低的开启电压.电路仿真结果表明,使用二极管连接的NMOS管能够满足倍压电路的设计要求.

关 键 词:射频识别  倍压电路  无源标签  CMOS集成电路

Design of Voltage Multiplier for Passive UHF RFID Tags
SUN Ling,JING Wei-ping. Design of Voltage Multiplier for Passive UHF RFID Tags[J]. Control & Automation, 2009, 25(14)
Authors:SUN Ling  JING Wei-ping
Abstract:
Keywords:
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