1.52μmInGaAsP/InP分别限制量子阱激光器 |
| |
作者姓名: | 陈松岩 李玉东 刘式墉 张玉贤 |
| |
作者单位: | 集成电子学国家重点实验室吉林大学实验区 |
| |
摘 要: | 报导了在600℃生长温度下以三甲基镓(TMGa)和三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,用低压金属有机气相沉积(LP-MOCVD)技术生长出的高质量1.60μm和1.3μmInGaAsP材料,以及在其分别限制量子讲结构生长的情况下,用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器。该激光器在室温下直流阈值电流为100mA。
|
关 键 词: | 分别限制量子阱激光器,低压金属有机气相外延,阈值电流 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|