| 分离栅式快闪存储器抗编程干扰性能的工艺优化 |
| |
| 引用本文： | 周儒领,张庆勇. 分离栅式快闪存储器抗编程干扰性能的工艺优化[J]. 电子与封装, 2015, 0(7): 33-36 |
| |
| 作者姓名： | 周儒领 张庆勇 |
| |
| 作者单位： | 中芯国际集成电路制造 上海 有限公司,上海,201203 |
| |
| 摘 要： | 随着电子产品的普及,分离栅式快闪存储器作为闪存的一种,因其具有高效的编程速度以及能够完全避免过擦除的能力,无论是在单体还是嵌入式产品方面都得到了人们更多的关注。但由于快闪存储器产品规则的阵列排列方式,高速的编程能力也带来了容易出现编程干扰的问题,成为了制约其实际应用的关键因素。从工艺优化方面探讨在编程过程中,如何有效提高分离栅式快闪存储器的抗编程干扰性能。通过实验发现通过整合改进工艺流程中调节字线阈值电压的离子注入方式的方法,可以显著改进分离栅式工艺快闪存储器的抗编程干扰性能。
|
| 关 键 词： | 分离栅式快闪存储器 抗编程干扰 行干扰 列干扰 对角线干扰 |
Process Optimization to Improve Anti-program Disturb Performance in Split-gate Flash |
| |
| ZHOU Ruling,ZHANG Qingyong. Process Optimization to Improve Anti-program Disturb Performance in Split-gate Flash[J]. Electronics & Packaging, 2015, 0(7): 33-36 |
| |
| Authors: | ZHOU Ruling ZHANG Qingyong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | split-gate lfash anti-program disturb row disturb column disturb diagonal disturb |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
