| 杂质对单晶硅材料硬度的作用 |
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| 引用本文： | 李东升,杨德仁,阙端麟. 杂质对单晶硅材料硬度的作用[J]. 半导体学报, 2004, 25(7): 798-803 |
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| 作者姓名： | 李东升 杨德仁 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027(李东升，杨德仁)，浙江大学硅材料国家重点实验室 杭州310027(阙端麟) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 教育部留学回国人员科研启动基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 室温下使用维氏硬度计研究了硅单晶表面的接触损伤及硅单晶中杂质对表面损伤的影响 .实验发现 ,硅单晶的硬度不仅与晶体的本身特性——晶向有关 ,还与所掺入杂质的种类和浓度有关 .损伤造成的裂纹倾向于沿着〈1 1 0〉晶向扩展 ,而且 { 1 1 1 }面上的硬度要大于 { 1 0 0 }面 .重掺 n型单晶由于能带结构的变化而使硬度下降 ;相反 ,重掺 p型和掺氮单晶的硬度则由于掺入原子对位错的钉扎作用加强而有所提高
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| 关 键 词： | 硬度 杂质 硅单晶 晶向 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)07-0798-06 |
| 修稿时间： | 2003-06-30 |
Effect of Doped Impurities on Hardness of Silicon Single Crystal |
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| Li Dongsheng,Yang Deren and Que Duanlin. Effect of Doped Impurities on Hardness of Silicon Single Crystal[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(7): 798-803 |
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| Authors: | Li Dongsheng Yang Deren Que Duanlin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hardness impurities silicon single crystal |
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