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| 硅低温本征载流子浓度的计算 | |
| 引用本文： | 郑茳, 魏同立, 王曙, 黄勤. 硅低温本征载流子浓度的计算[J]. 电子与信息学报, 1992, 14(3): 323-328. |
| 作者姓名： | 郑茳 魏同立 王曙 黄勤 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心,东南大学微电子中心,东南大学微电子中心,东南大学微电子中心 南京 210018,南京 210018,南京 210018,南京 210018 |
| 摘 要： | 本文提出了低温区高精度的禁带宽度的表达式,获得了低温区本征载流子浓度的简明公式。考虑到禁带变窄效应的作用,本文导出了重掺杂硅中本征载流子浓度与温度和杂质浓度的关系式。与常温情况相比,低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。 |
| 关 键 词： | 硅半导体 禁带宽度 本征载流子浓度 低温特性 |
| 收稿时间： | 1990-05-22 |
| 修稿时间： | 1991-09-18 |
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