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| 锆钛酸铅(PZT)薄膜的自发极化与压电响应 | |
| 引用本文： | 程晋荣,徐东,孟中岩. 锆钛酸铅(PZT)薄膜的自发极化与压电响应[J]. 材料研究学报, 2000, 14(4): 397-400 |
| 作者姓名： | 程晋荣 徐东 孟中岩 |
| 作者单位： | 1. 上海交通大学材料学院;上海大学材料学院 2. 上海交通大学信息存储中心 3. 上海大学材料学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!59782009，上海市教委青年基金!98QN55，上海交通大学国家教育部薄膜与微细加工重点研究实验室基金 |
| 摘 要： | 用溶胶－凝胶法在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）基片上制备了近等原子比的压电ＰＺＴ薄膜，在准同型相界附近的ＰＺＴ薄膜的应变机制是受极化控制的压电效应，内电场导致薄膜的自发极化定向，使薄膜未经极化就具有明显的压电响应。 |
| 关 键 词： | 压电薄膜 溶胶－凝胶 锆钛酸铅薄膜 自发极化 |
| 文章编号： | 1005-3093(2000)04-0397-04 |
| 修稿时间： | 1999-10-08 |
SPONTANEOUS POLARIZATION AND PIEZOELECTRIC RESPONSES OF PZT THIN FILMS |
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| CHENG Jinrong,XU Dong,MENG Zhongyan. SPONTANEOUS POLARIZATION AND PIEZOELECTRIC RESPONSES OF PZT THIN FILMS[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2000, 14(4): 397-400 | |
| Authors: | CHENG Jinrong XU Dong MENG Zhongyan |
| Abstract: | The PZT thin films with content ratio 53:47 of Zr to Ti were deposited on Pt / Ti/Sio2 / Si(100) substrates by using sol-gel techniques in this paper. The strain mechanism of PZT thin films with the composition near the morphotrophic phase boundary is caused by piezoelectric response controlled by polarization. Spontaneous polarization arraying in preferred orientation under internal bias fields contributed the piezoelectric response of as-grown PZT thin films. |
| Keywords: | piezoelectric thin films sol-gel MEMS |
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