| 气相沉积法制备含酞菁铜聚酰亚胺薄膜的光电性能研究 |
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| 引用本文： | 郑建邦,汪远. 气相沉积法制备含酞菁铜聚酰亚胺薄膜的光电性能研究[J]. 半导体光电, 2008, 29(6): 879-883 |
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| 作者姓名： | 郑建邦 汪远 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,理学院,陕西,西安,710072;西北工业大学,理学院,陕西,西安,710072 |
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| 基金项目： | 陕西省自然科学基金，西北工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 在2×10-3Pa真空度下,以酞菁铜(CuPc)、均苯四甲酸酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)为原料,通过控制三源单体的加入摩尔计量、加热时间和其沉积速率,在玻璃衬底上合成了含酞菁铜的聚酰胺酸,再经150～200℃真空加热亚胺化1h后得到了成膜性良好的均匀含酞菁铜聚酰亚胺薄膜.红外谱图证实了所合成产物的结构,紫外吸收分析表明含酞菁铜聚酰亚胺薄膜在可见光区、近红外区具有较强的吸收,热失重分析表明所制备的含酞菁铜聚酰亚胺具有良好的热稳定性能;简并四波混频方法测得薄膜的三阶非线性极化率为1.984×10-9esu,表现出良好的三阶非线性特性.
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| 关 键 词： | 非线性光学材料 酞菁铜 聚酰亚胺 气相沉积 简并四波混频 |
Optical and Electrical Properties of Cu-Phthalocyanine-doped Polyimide Thin Films by Vapor Deposition Polymerization |
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| ZHENG Jian-bang,WANG Yuan. Optical and Electrical Properties of Cu-Phthalocyanine-doped Polyimide Thin Films by Vapor Deposition Polymerization[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2008, 29(6): 879-883 |
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| Authors: | ZHENG Jian-bang WANG Yuan |
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