| CCD栅复合介质厚度对界面态的影响 |
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| 引用本文： | 张故万,汪凌,吴可,伍明娟.CCD栅复合介质厚度对界面态的影响[J].半导体光电,2008,29(6):899-902. |
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| 作者姓名： | 张故万 汪凌 吴可 伍明娟 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 基金项目： | 中国电子科技集团公司CCD研发中心基础技术基金 |
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| 摘 要： | 采用正交试验方法进行了用于CCD栅复合介质的SiO2和Si3N4厚度的配比实验,研究了退火温度和退火气氛对复合介质界面态的影响,获得了最佳的复合介质SiO2与Si3N4的厚度配比,使得Si-SiO2界面态密度满足设计制作要求.
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| 关 键 词： | 复合介质 界面态密度 厚度配比 退火 |
Effect of Thickness Change of CCD Grid Composite Dielectric on Interface State |
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| ZHANG Gu-wan,WANG Lin,WU Ke,WU Ming-juan.Effect of Thickness Change of CCD Grid Composite Dielectric on Interface State[J].Semiconductor Optoelectronics,2008,29(6):899-902. |
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| Authors: | ZHANG Gu-wan WANG Lin WU Ke WU Ming-juan |
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