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| 确定VCSEL电势及载流子自洽分布算法的研究 | |
| 作者姓名： | 赵鼎 林世鸣 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;69896260,69937010; |
| 摘 要： | 分别使用准Fermi能级和pn结模型决定VCSEL的有源层压降,建立了两种自洽确定VCSEL中电势及载流子分布的方法.针对电极电压变化和氧化层限制孔径变化的两种情况,在阈值附近对器件中的结电压分布、载流子浓度分布和注入有源层电流密度分布进行了计算;针对两者所得结果的差异进行了简要的分析,指出了二者的特点及适用范围. |
| 关 键 词： | 准Fermi能级 pn结模型 VCSEL |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)10-1093-06 |
| 修稿时间： | 2002-11-12 |
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