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| 低温下的氮化钛化学气相沉积（一） | |
| 作者姓名： | 胡传胜 袁泽喜 |
| 摘 要： | 文中介绍的是４００～７００℃之间在基体上生长ＴｉＮ膜的一种新方法，由ＴｉＣｌ４和ＮＨ３通过化学气相沉积形成膜，生长速度已达到０．１μｍ／ｓ。这种方法用途广泛，测量了膜的光学性质，并用Ｄｒｕｄｅ理论对得到膜的等离子频率进行了理论上的分析，根据ＭａｘｗｅｌｌＧａｒｎｅｔｔ改进的Ｄｒｕｄｅ理论解释了较薄的膜在ＩＲ区反射率的降低，对膜在热镜上和其它方面的应用进行了讨论。 |
| 关 键 词： | 薄膜 氮化钛 化学气相沉积 低温 |
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