低温下的氮化钛化学气相沉积(一) |
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作者姓名: | 胡传胜 袁泽喜 |
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摘 要: | 文中介绍的是400~700℃之间在基体上生长TiN膜的一种新方法,由TiCl4和NH3通过化学气相沉积形成膜,生长速度已达到0.1μm/s。这种方法用途广泛,测量了膜的光学性质,并用Drude理论对得到膜的等离子频率进行了理论上的分析,根据MaxwellGarnett改进的Drude理论解释了较薄的膜在IR区反射率的降低,对膜在热镜上和其它方面的应用进行了讨论。
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关 键 词: | 薄膜 氮化钛 化学气相沉积 低温 |
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