| Ka波段低噪声放大器的研制 |
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| 引用本文： | 郭桂美,邓磊,唐高弟. Ka波段低噪声放大器的研制[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2008, 6(4) |
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| 作者姓名： | 郭桂美 邓磊 唐高弟 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900 |
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| 摘 要： | 毫米波低噪声放大器是毫米波接收系统的关键部件,本文设计的毫米波低噪声放大器采用BJ320波导口输入输出和微带探针过渡结构实现波导结构到微带平面电路的过渡,使用MMIC芯片微组装工艺实现电路的制作,在工作频带内,测得该低噪声放大器的增益大于16 dB,噪声系数小于2.7 dB,达到了工程使用的要求。
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| 关 键 词： | Ka频段 低噪声放大器 波导 微带 |
Design of Ka Band Low Noise Amplifier |
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| GUO Gui-Mei,DENG Lei,TANG Gao-Di. Design of Ka Band Low Noise Amplifier[J]. Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology, 2008, 6(4) |
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| Authors: | GUO Gui-Mei DENG Lei TANG Gao-Di |
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| Abstract: | The millimeter-wave Low Noise Amplifier(LNA) plays critical roles in the millimeter-wave receiving system.The LNA is designed and manufactured based on the transition of waveguide to micro-strip probe in Ka-band and MMIC chip micro-package techniques.The Gain of this LNA is larger than 16 dB and the Noise Figure(NF) is less than 2.7 dB in defined bandwidth,which satisfies the requirement of engineering application. |
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| Keywords: | Ka band Low Noise Amplifier waveguide micro-strip |
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