|
|||||
|
|
| 三星2011年下半推出20nm级制程DRAM | |
| 摘 要： | <正>三星电子(Samsung Electronics)2011年将致力于提升DRAM存储器半导体制程技术水平,再拉大与其它竞争业者间差距。三星半导体事业部专务赵南成表示,2010年采用30 nm级制程制造 |
| 关 键 词： | 制程技术 DRAM 三星电子 m级 半导体 存储器 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||
|
||||||||||
|
||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |