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| 60GHz GaAs FET放大器 | |
| 引用本文： | E.T.Watkins,曹余录.60GHz GaAs FET放大器[J].微纳电子技术,1983(6). |
| 作者姓名： | E.T.Watkins 曹余录 |
| 摘 要： | 用1/4μm栅结构研制出新的毫米波场效应晶体管(FET)器件。这个器件在波导-微波集成电路(MIC)放大器电路中从55～62GHz有5.0±0.5dB的增益,在60GHz下最小噪声系数为7.1dB。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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