| CMOS集成电路IDD频谱图形测试理论与实践 |
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| 引用本文： | 李少平,肖庆中.CMOS集成电路IDD频谱图形测试理论与实践[J].电子产品可靠性与环境试验,2002(2):60-62. |
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| 作者姓名： | 李少平 肖庆中 |
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| 作者单位： | 信息产业部电子第五研究所,广东,广州,510610 |
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| 基金项目： | 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室基金项目：集成电路IDD频谱图形测试方法研究，99JS03.7.1ZS0305 |
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| 摘 要： | 分析了CMOS集成电路电源电流与集成电路芯片缺陷的相关性，介绍了CMOS集成电路新的测试方法－IDD频谱图形测试方法的测试原理，以及实现CMOS集成电路IDD频谱图形测试的测试框图。
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| 关 键 词： | CMOS集成电路 IDD频谱图形 互补金属氧化物半导体集成电路 电源电流 缺陷 测试原理 |
| 修稿时间： | 2001年12月10 |
CMOS IC IDD Frequency Spectrum Graphics Test Theory and Experiment |
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| LI Shao-ping,XIAO Qing-Zhong.CMOS IC IDD Frequency Spectrum Graphics Test Theory and Experiment[J].Electronic Product Reliability and Environmental Testing,2002(2):60-62. |
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| Authors: | LI Shao-ping XIAO Qing-Zhong |
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| Abstract: | This paper analysis the relation between CMOS IC power current and IC chip defects,it introduces the new test method of IDD frequency spectrum test theory,and the test frame of IDD frequency spectrum graphics test. |
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