硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性 |
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引用本文: | 张仿清,张文军,胡博,谢二庆,陈光华.硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性[J].半导体学报,1995,16(10):783-788. |
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作者姓名: | 张仿清 张文军 胡博 谢二庆 陈光华 |
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作者单位: | 兰州大学物理系 |
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摘 要: | 用热丝辅助化学气相沉积法合成了未掺杂及B掺杂金刚石薄膜,测量了退火前后的电流一电压和光电导特性.实验结果表明,H原子对未掺杂金刚石膜的电学和光电导特性有很大影响.对于掺杂样品,随着B含量的增高,B的作用更加明显,而H的作用降低.合成的金刚石膜中存在着各种缺陷态,其中包含陷阶型缺陷态,它影响着光电导饱和值的大小和弛豫时间的长短.经600℃退火后,样品的结构、缺陷态的种类、数量都发生变化,并改变了金刚石膜的电学及光电导特性.
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关 键 词: | 金刚石薄膜 电学 光电导 掺杂 硼 |
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