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| 硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性 | |
| 引用本文： | 张仿清,张文军,胡博,谢二庆,陈光华.硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性[J].半导体学报,1995,16(10):783-788. |
| 作者姓名： | 张仿清 张文军 胡博 谢二庆 陈光华 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系 |
| 摘 要： | 用热丝辅助化学气相沉积法合成了未掺杂及Ｂ掺杂金刚石薄膜，测量了退火前后的电流一电压和光电导特性．实验结果表明，Ｈ原子对未掺杂金刚石膜的电学和光电导特性有很大影响．对于掺杂样品，随着Ｂ含量的增高，Ｂ的作用更加明显，而Ｈ的作用降低．合成的金刚石膜中存在着各种缺陷态，其中包含陷阶型缺陷态，它影响着光电导饱和值的大小和弛豫时间的长短．经６００℃退火后，样品的结构、缺陷态的种类、数量都发生变化，并改变了金刚石膜的电学及光电导特性． |
| 关 键 词： | 金刚石薄膜 电学 光电导 掺杂 硼 |
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