| 基于BSIM3的低温MOSFET模型及参数提取 |
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| 引用本文： | 邓旭光. 基于BSIM3的低温MOSFET模型及参数提取[J]. 激光与红外, 2013, 43(9): 1051-1054 |
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| 作者姓名： | 邓旭光 |
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| 作者单位： | 华北光电技术研究所,北京,100015 |
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| 摘 要： | 器件模型作为工艺与设计之间的接口,对保证集成电路设计成功具有决定意义.本文介绍了BSIM3模型的原理,并完成了低温下(77K) BSIM3模型的参数提取.同时探讨了使用参数提取软件的具体工作步骤.
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| 关 键 词： | MOSFET BSIM3 参数提取 |
Low temperature MOSFET model and parameter extraction based on BSIM3 |
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| DENG Xu-guang. Low temperature MOSFET model and parameter extraction based on BSIM3[J]. Laser & Infrared, 2013, 43(9): 1051-1054 |
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| Authors: | DENG Xu-guang |
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| Abstract: | Device model as interface between IC process and design are very important for ensuring a successful IC design. The theory of BSIM3 is presented, and model parameters under low temperature (77K) are extracted. Meanwhile, the details of parameter extraction software are introduced and discussed. |
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| Keywords: | MOSFET BSIM3 parameter extraction |
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