| 部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析 |
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| 引用本文： | 贺威,张正选. 部分耗尽PD CMOS/SOI器件SEU模型分析[J]. 微电子学与计算机, 2010, 27(12) |
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| 作者姓名： | 贺威 张正选 |
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| 摘 要： | 通过计算机模拟分析CMOS/SOI器件中单粒子效应的影响,采用二维模拟软件MEDICE,建立了器件发生单粒子效应时内部电荷的分布模型.利用电荷分布模型建立了CMOS/SOI器件在入射不同LET值时的离子与器件中瞬态电流的关系曲线;并建立了离子入射点的不同位置与瞬态电流的关系曲线.从理论上提供了一种分析器件SEU的手段.
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| 关 键 词： | 单粒子翻转 绝缘体上硅 模型 |
Analyses of SEU Model for PD CMOS/SOI |
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| HE Wei,ZHANG Zheng-xuan. Analyses of SEU Model for PD CMOS/SOI[J]. Microelectronics & Computer, 2010, 27(12) |
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| Authors: | HE Wei ZHANG Zheng-xuan |
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