电子束蒸镀快速沉积铜膜研究

利用电子束蒸镀设备沉积金属薄膜是微电子领域最常见的薄膜沉积工艺之一。然而使用普通钨坩埚电子束蒸镀铜薄膜时，沉积速度非常低。这是因为熔融的铜与钨坩埚是浸润的，当提高电子枪功率时，液态铜的表面自由能随着温度的升高而降低，液态铜会沿着坩埚壁向上铺展，消耗电子束能量。为此，对钨衬埚壁进行结构优化，阻止了电子枪功率较高时液态铜的向上铺展，将铜膜的沉积速度从2?/s提高到20?/s，并对不同沉积速率制备的铜薄膜的粗糙度、均匀性、应力进行对比，验证了该方法的可行性。