| 可见-近红外响应InGaAs光电倍增管 |
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| 引用本文： | 王旺平,马建一.可见-近红外响应InGaAs光电倍增管[J].光电子技术,2015,35(2):115-117. |
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| 作者姓名： | 王旺平 马建一 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 光电倍增管,在单光子探测应用中,有独特优势,其有效面积大,暗电流低,且倍增系数大。基于三代负电子亲和势阴极技术研究了InGaAs光电倍增管,利用GaAs衬底外延InGaAs,将三代光电阴极截止波长从920nm拓展至1100nm,阴极积分灵敏度340uA/lm,光谱峰值830nm,1000nm辐射灵敏度6.2mA/W,InGaAs性能达到日本滨松公司V8071U-76产品水平。在内置2块微通道板后,整管电子倍增系数大于105。
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| 关 键 词： | 负电子亲和势光电阴极 GaAs InGaAs 光电倍增管 |
Development of a Visible-near Infrared Light Responsive InGaAs Photomultiplier Tube |
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| WANG Wangping,MA Jianyi.Development of a Visible-near Infrared Light Responsive InGaAs Photomultiplier Tube[J].Optoelectronic Technology,2015,35(2):115-117. |
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| Authors: | WANG Wangping MA Jianyi |
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| Affiliation: | WANG Wangping;MA Jianyi;The 55th Research Institute of China Electronic Technology Group Corporation; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | negative electron affinity photocathode GaAs InGaAs photomultiplier tube |
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