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基于InGaAs/InP APD的单光子探测器设计与实现
引用本文:高家利,汪科,曹秋玲. 基于InGaAs/InP APD的单光子探测器设计与实现[J]. 光电子技术, 2015, 35(2): 131-134
作者姓名:高家利  汪科  曹秋玲
作者单位:重庆理工大学工程训练与经管实验中心,重庆,400054
摘    要:针对现有单光子探测器模块价格昂贵和电路复杂的不足,设计了基于InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)的便携式单光子探测器,给出了APD门控驱动信号和雪崩信号鉴别电路的设计方案,门控信号的产生和雪崩信号的提取由FPGA完成。实验结果表明:在200 MHz门控条件且制冷温度为-55℃时,探测器的最大光子探测效率(PDE)约为20%,当探测效率为16%时,暗计数率(DCR)约为7.2×10-6/ns。

关 键 词:单光子探测器  雪崩光电二极管  FPGA  光子探测效率  暗计数率

Design and Realization of the Single-photon Detector Based on InGaAs/InP APD
GAO Jiali,WANG Ke,CAO Qiuling. Design and Realization of the Single-photon Detector Based on InGaAs/InP APD[J]. Optoelectronic Technology, 2015, 35(2): 131-134
Authors:GAO Jiali  WANG Ke  CAO Qiuling
Affiliation:GAO Jiali;WANG Ke;CAO Qiuling;The Engineering Training and Economical Management Experiment Center,Chongqing University of Technology;
Abstract:
Keywords:single photon detector  avalanche photon diode  FPGA  photon detection efficiency  dark count rate
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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