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微电子领域科技领军人才引进工作的"瓶颈"与改善
引用本文:叶红雨,钱省三,孟薇. 微电子领域科技领军人才引进工作的"瓶颈"与改善[J]. 半导体技术, 2005, 30(4): 1-4
作者姓名:叶红雨  钱省三  孟薇
作者单位:上海理工大学微电子发展研究中心,上海,200093;上海理工大学微电子发展研究中心,上海,200093;上海理工大学微电子发展研究中心,上海,200093
摘    要:大力引进科技领军人才是我国微电子业目前阶段快速提高竞争力的最有效手段.调查表明,机制、待遇以及子女教育问题是制约我国微电子领域引进科技领军人教授"瓶颈".本文最后给出了一些政策建议.

关 键 词:微电子  科技领军人才  瓶颈
文章编号:1003-353X(2004)04-0001-04
修稿时间:2005-01-15

The Bottleneck and improvement of Bring in Technological Leading Talents in the Field of China's Microelectronics
YE Hong-yu,QIAN Xing-san,MENG wei. The Bottleneck and improvement of Bring in Technological Leading Talents in the Field of China's Microelectronics[J]. Semiconductor Technology, 2005, 30(4): 1-4
Authors:YE Hong-yu  QIAN Xing-san  MENG wei
Abstract:
Keywords:microelectronics  technological leading talent  bottleneck
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