| 高导热GaN功率管外壳 |
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| 引用本文： | 程凯,杨建,胡进,王子良,任春江,陈堂胜.高导热GaN功率管外壳[J].固体电子学研究与进展,2012,32(6):623. |
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| 作者姓名： | 程凯 杨建 胡进 王子良 任春江 陈堂胜 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | <正>南京电子器件研究所最近研制成一种采用金刚石铜复合材料的高导热GaN功率管外壳,用于封装C波段60W GaN HEMT器件。新材料通过了外壳常规工艺的兼容性验证。外壳装芯片
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| 关 键 词： | 高导热 功率管 外壳 金刚石 电子器件 铜复合材料 常规工艺 兼容性 新材料 研究所 |
Hi-heat Flux Package for GaN Power Amplifier |
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| CHENG Kai
,
YANG Jian
,
HU Jin
,
WANG Ziliang
,
REN Chunjiang
,
CHEN Tangsheng.Hi-heat Flux Package for GaN Power Amplifier[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2012,32(6):623. |
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| Authors: | CHENG Kai YANG Jian HU Jin WANG Ziliang REN Chunjiang CHEN Tangsheng |
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| Affiliation: | (Nanjing Electronic Devices Institute, Nanjing, 210016,CHN) |
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| Abstract: | |
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