| MoS2／Ti复合膜的制备和性能 |
| |
| 引用本文： | 李永良 Kin Sunkyu.MoS2／Ti复合膜的制备和性能[J].稀有金属材料与工程,2006,35(8):1308-1310. |
| |
| 作者姓名： | 李永良 Kin Sunkyu |
| |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学,北京 100875
2. 蔚山大学,蔚山 680-749,韩国 |
| |
| 基金项目： | 韩国科学技术部资助项目 |
| |
| 摘 要： | 为了克服MoS2薄膜在大气环境下极易氧化失效且耐磨性能差的缺点，采用非平衡直流磁控溅射技术制备了MoS2／Ti复合膜，研究了Ti靶电流对复合膜结构和性能的影响。电子探针（EPMA）测定表明，膜中Ti的含量随着Ti靶电流的增加而增加。场发射扫描电子显微镜（FE．SEM）对膜的表面和截面形貌观察发现，膜的表面由尺寸为几十～几百纳米的颗粒组成，而膜的截面呈柱状晶结构。膜的致密性和Ti靶电流有关，电流越高，膜的致密性越好，从而膜的硬度也越高。
|
| 关 键 词： | MoS2/Ti复合膜 直流磁控溅射 Ti靶电流 性能 |
| 文章编号： | 1002-185X(2006)08-1308-03 |
| 收稿时间： | 2005-06-15 |
| 修稿时间： | 2006-03-01 |
Preparation and Performance of MoS2/Ti Composite Films |
| |
| Li Yongliang,Kin Sunkyu.Preparation and Performance of MoS2/Ti Composite Films[J].Rare Metal Materials and Engineering,2006,35(8):1308-1310. |
| |
| Authors: | Li Yongliang Kin Sunkyu |
| |
| Affiliation: | 1. Beijing Normal University, Beijing 100875, China;2. University ofUlsan, Ulsan 680-749, Korea |
| |
| Abstract: | The MoS2/Ti composite films were deposited on SKD-11 steel and Si wafer by D.C, magnetron sputtering. The titanium content of the films increases with the Ti target current increasing according to EPMA. The FE-SEM result confirms that the film morphology is composed of the columns with the size of nano-meter, and more compact and hard at a higher Ti target current. |
| |
| Keywords: | MoS_2/Ti composite film DC magnetron sputtering Ti target current microstructure performance |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《稀有金属材料与工程》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《稀有金属材料与工程》下载全文 |
