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低温下磁控溅射AIN薄膜择优取向研究
引用本文:杨杰,马晋毅,杜波,徐阳,石玉.低温下磁控溅射AIN薄膜择优取向研究[J].压电与声光,2013,35(2).
作者姓名:杨杰  马晋毅  杜波  徐阳  石玉
作者单位:1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054
2. 中国电子科技集团公司第26研究所,重庆,400060
摘    要:研究了衬底温度从-20~20℃下射频磁控溅射A1N薄膜的择优取向程度.利用X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射电子显微镜(FESEM)对A1N薄膜的晶体结构、租糙度及表面和断面形貌进行了分析.研究结果表明,当衬底温度低于0℃时,AIN薄膜中的(100)衍射峰消失,A1N薄膜以(002)面择优取向生长.当衬底温度降低时,AIN薄膜的晶粒大小和表面粗糙度减小.AIN薄膜在0℃下沉积具有最佳的择优取向程度和较低的表面粗糙度.

关 键 词:AIN薄膜  衬底温度  结构  形貌

Study on Preferential Orientation of RF Magnetron Sputtered AIN Films at Low Substrate Temperature
YANG Jie , MA Jinyi , DU Bo , XU Yang , SHI Yu.Study on Preferential Orientation of RF Magnetron Sputtered AIN Films at Low Substrate Temperature[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2013,35(2).
Authors:YANG Jie  MA Jinyi  DU Bo  XU Yang  SHI Yu
Abstract:
Keywords:
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