| 用于SAW器件制造的键合减薄技术 |
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| 引用本文： | 程进,刘卫国,刘欢,郭伟进.用于SAW器件制造的键合减薄技术[J].压电与声光,2013,35(2):158-161. |
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| 作者姓名： | 程进 刘卫国 刘欢 郭伟进 |
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| 作者单位： | 西安工业大学光电微系统研究所,陕西西安,710032 |
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| 基金项目： | 总装备部预研基金资助项目，陕西省教育厅出国留学人员基金资助项目，陕西省教育厅科研计划基金资助项目，西安工业大学校长基金资助项目 |
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| 摘 要： | 铌酸锂(LiNbO3)作为一种压电材料,常被用于声表面波(SAW)器件的压电层,通常LiNbO3晶片厚度为500 μm,而实际上压电层的有效利用厚度为λ～2λ(λ为声表面波波长).为能实现SAW器件的高度集成化,需用键合减薄及抛光技术对LiNbO3进行加工处理.用粒径(φ)100 nm的SiO2抛光液对减薄后的铌酸锂晶体样品进行化学机械抛光,研究了抛光垫、抛光盘转速、压力及抛光时间对抛光过程的影响.抛光结果表明最佳抛光工艺参数是:采用阻尼布抛光盘,100 nm的SiO2抛光液,转速为120 r/min,压力为3.9N,抛光时间为40 min.经测试样品厚度为80μm,样品的最小粗糙度Ra=0.468 nm,Rq=0.593 nm(Ra为算术平均粗糙度,Rq为均方根粗糙度).
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| 关 键 词： | 铌酸锂(LiNbO3)晶片 键合减薄 声表面波(SAW)器件 抛光 |
Bonding and Thinning Technology for SAW Devices |
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| CHENG Jin,LIU Weiguo,LIU Huan and GUO Weijin.Bonding and Thinning Technology for SAW Devices[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2013,35(2):158-161. |
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| Authors: | CHENG Jin LIU Weiguo LIU Huan and GUO Weijin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LiNbO3 wafer wafer bonding and thinning SAW devices polishing |
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