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32 nm工艺及其设备
引用本文:翁寿松.32 nm工艺及其设备[J].电子工业专用设备,2008,37(12).
作者姓名:翁寿松
作者单位:无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡,214001
摘    要:2007年9月英特尔推出全球首款32nm SRAM,2007年11月IBM推出32nm SRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32nm芯片。32nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形,高k电介质/金属栅极,超低k电介质,高kSOI等技术。为了使双重图形技术用于32nm节点,ITRS2006修正版提出了具体的要求。2007年ASML推出XT:1900I,2008年尼康推出NSR-S611C,以用于32nm光刻工艺。

关 键 词:32  nm工艺  193  nm浸没式光刻  双重图形  光刻设备

32 nm Technology and its Equipment
WENG Shou-song.32 nm Technology and its Equipment[J].Equipment for Electronic Products Marufacturing,2008,37(12).
Authors:WENG Shou-song
Abstract:
Keywords:
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