| 32 nm工艺及其设备 |
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| 引用本文： | 翁寿松.32 nm工艺及其设备[J].电子工业专用设备,2008,37(12). |
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| 作者姓名： | 翁寿松 |
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| 作者单位： | 无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡,214001 |
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| 摘 要： | 2007年9月英特尔推出全球首款32nm SRAM,2007年11月IBM推出32nm SRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32nm芯片。32nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形,高k电介质/金属栅极,超低k电介质,高kSOI等技术。为了使双重图形技术用于32nm节点,ITRS2006修正版提出了具体的要求。2007年ASML推出XT:1900I,2008年尼康推出NSR-S611C,以用于32nm光刻工艺。
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| 关 键 词： | 32 nm工艺 193 nm浸没式光刻 双重图形 光刻设备 |
32 nm Technology and its Equipment |
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| WENG Shou-song.32 nm Technology and its Equipment[J].Equipment for Electronic Products Marufacturing,2008,37(12). |
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| Authors: | WENG Shou-song |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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