| AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响 |
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| 引用本文： | 胡小强,杨小天,李慧,李博,胡伟涛,雷明洲.AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响[J].吉林建筑工程学院学报,2021,38(6):80-83. |
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| 作者姓名： | 胡小强 杨小天 李慧 李博 胡伟涛 雷明洲 |
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| 作者单位： | 吉林建筑大学电气与计算机学院 长春,130118 |
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| 摘 要： | 随着信息时代的到来,各种信息类产品飞速发展,对薄膜晶体管(TFT)的性能要求也越来越高.AZTO以其优异的性能被广泛关注并且应用于薄膜晶体管的制备.本文主要研究AZTO有源层厚度对薄膜晶体管性能的影响,采用磁控溅射设备制备了不同厚度的AZTO有源层.结果 表明,随着有源层厚度增加,器件开关比减小,透光率下降,AZTO有...
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| 关 键 词： | AZTO 薄膜晶体管 有源层厚度 磁控溅射 |
The influence of AZTO active layer thickness on the performance of thin film transistors |
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| HU Xiao-qiang,YANG Xiao-tian,LI Hui,LI Bo,HU Wei-tao,LEI Ming-zhou.The influence of AZTO active layer thickness on the performance of thin film transistors[J].Journal of Jilin Architectural and Civil Engineering,2021,38(6):80-83. |
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| Authors: | HU Xiao-qiang YANG Xiao-tian LI Hui LI Bo HU Wei-tao LEI Ming-zhou |
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