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Nb~(5+)/Ti~(4+)离子对O_3气敏元件的性能改善
引用本文:邓永和,唐世洪,谭子尤,张勇华,梁平原,曾庆立. Nb~(5+)/Ti~(4+)离子对O_3气敏元件的性能改善[J]. 微纳电子技术, 2002, 39(5): 31-33
作者姓名:邓永和  唐世洪  谭子尤  张勇华  梁平原  曾庆立
作者单位:吉首大学物理与电子工程系,湖南,吉首,416000
摘    要:在WO3中掺AN5+、Ti4+杂质离子,制成傍热式厚膜元件,结合开溢脱附(TPD)和半导体分析,研究了掺杂离子对元件性能的影响。

关 键 词:掺杂离子  O3气敏元件  影响
文章编号:1671-4776(2002)05-0031-03
修稿时间:2001-10-27

Nb5+/Ti4+ ion effects on the properties of O3 sensors
DENG Yong-he,TANG Shi-hong,TAN Zi-you,ZHANG Yong-hua,LIANG Ping-yuan,ZENG Qing-li. Nb5+/Ti4+ ion effects on the properties of O3 sensors[J]. Micronanoelectronic Technology, 2002, 39(5): 31-33
Authors:DENG Yong-he  TANG Shi-hong  TAN Zi-you  ZHANG Yong-hua  LIANG Ping-yuan  ZENG Qing-li
Abstract:Through analysing the process of the heating type thick film O3 sensors by mixing Nb5+, Ti4+ into WO3 and combining TPD and semiconductor analysis, the effect of the Nb5+, Ti4+ on the properties of O3 sensors is studied in this paper.
Keywords:doping ion  O3 sensors  effect
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