| MEMS中多孔硅绝热技术 |
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| 引用本文： | 窦雁巍,胡明,宗杨,崔梦.MEMS中多孔硅绝热技术[J].纳米技术与精密工程,2005,3(2):106-111. |
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| 作者姓名： | 窦雁巍 胡明 宗杨 崔梦 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,天津,300072;天津大学电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60371030)，天津自然科学基金资助项目(043600811). |
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| 摘 要： | 主要介绍了多孔硅的制备方法(化学法、电化学法及原电池法等)、多孔硅导热系数测试的几种常用手段(温度传感器法、显微拉曼散射法及光声法等)、导热系数的理论模型及影响因素．此外，采用不同方法制备了多孔硅样品，分析了其表面形貌并用显微拉曼光谱法测定了导热系数．结果发现，化学法制备的多孔硅孔径尺寸大于微米量级，而利用大孔硅电化学和原电池法得到的样品孔径尺寸小(约20nm)，属于介孔硅．由于腐蚀条件的不同，多孔硅的孔隙率和厚度也不同，多孔硅的导热系数随孔隙率和厚度的增大而迅速减小．
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| 关 键 词： | 多孔硅 热绝缘 导热系数 微机电系统 |
| 文章编号： | 1672-6030(2005)02-0106-06 |
| 修稿时间： | 2005年4月25日 |
Porous Silicon Thermal Isolation Technology of MEMS |
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| DOU Yan-wei,HU Ming,ZONG Yang,CUI Meng.Porous Silicon Thermal Isolation Technology of MEMS[J].Nanotechnology and Precision Engineering,2005,3(2):106-111. |
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| Authors: | DOU Yan-wei HU Ming ZONG Yang CUI Meng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon thermal isolation temperature conductivity MEMS |
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