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摘要：	光射入非均相结构(金属—无机半导体—有机半导体)中有效量子产率增强机理 T34 №3 171～176 本文以金属—无机半导体—有机半导体的非均相结构的伏特—安培、光放电和转移性能作为室验研究的基础,讨论了金属—无机半导体—有机半导体的光射入的有效量子产率(n)增强机理指出,在不均衡荷电载流子的作用下,金属—无机半导体接触使屏蔽荷电转成入射荷电,η的
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