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| Al_2O_3(0001)邻晶面上基底温度对PTCDI-C_5岛分布的影响（英文） | |
| 作者姓名： | 李煜溪 李艳宁 魏亚旭 吴森 胡春光 孙立东 胡小唐 |
| 作者单位： | 精密测试技术及仪器国家重点实验室(天津大学);约翰开普勒林茨大学实验物理研究所 |
| 摘 要： | 在α-Al_2O_3(0001)表面研究了N,N'-二戊基-3,4,9,10-苝二甲酰亚胺(PTCDI-C_5)薄膜形貌与基底温度之间的关系.在背景真空度低于6×10-7Pa的超高真空腔中,利用分子束外延方法在基底上生长标称厚度为0.6 nm的PTCDI-C_5薄膜,薄膜生长过程中的基底温度分别被控制在25℃、37℃和61℃.生长结束后,利用原子力显微镜(AFM)轻敲模式在大气环境下对薄膜形貌进行离线表征.AFM图像显示在Al_2O_3基底表面,PTCDI-C_5分子形成岛,而且PTCDI-C_5岛的排列与基底温度之间呈现一定关系.本文实验条件下,在25℃和37℃之间存在一个基底温度阈值.在薄膜生长过程中,当基底温度低于此温度阈值时,PTCDI-C_5岛在基底表面随机排列;相反,当基底温度高于此温度阈值时,PTCDI-C_5岛沿着Al_2O_3(0001)表面的台阶边缘分布. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |